记者9日从复旦大学获悉,该校集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片,解决了存储速率的技术难题。相关研究成果8日发表于国际学术期刊《自然》。

封装后的二维-硅基混合架构闪存芯片(带PCB板)

二维-硅基混合架构闪存芯片光学显微镜照片
这是复旦大学继“破晓(PoX)”皮秒闪存器件问世后,在二维电子器件工程化道路上的又一次里程碑式突破。
这一成果将二维超快闪存与成熟互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺深度融合,攻克了二维信息器件工程化的关键难题,率先实现全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片的研发。产业界相关人士认为,这种芯片可突破闪存本身在速度、功耗、集成度上的平衡限制,未来或可在3D应用层面带来更大市场机会。
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来源:科技日报(记者王春 通讯员沈涵),图片:复旦大学
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